 |
2 / 3/4/6inch het Wafeltje 4h-n van het Siliciumcarbide/Semi Industriële Type sic Baren
Productdetails:
| Plaats van herkomst: | CHINA |
| Merknaam: | ZMKJ |
| Modelnummer: | 4inch sic Massa's |
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
| Min. bestelaantal: | 3pcs |
|---|---|
| Prijs: | by case |
| Verpakking Details: | het enige wafeltjepakket in 100 sorteert schoonmakende ruimte |
| Levertijd: | 2-5weeks |
| Betalingscondities: | T/T, Western Union, MoneyGram |
| Levering vermogen: | 1-50pcs/month |
|
Gedetailleerde informatie |
|||
| Materiaal: | SiC eenkristal | Hardheid: | 9.4 |
|---|---|---|---|
| Vorm: | Aangepast | Tolerantie: | ±0.1mm |
| Toepassing: | zaadwafeltje, reflector | Type: | 4h-n |
| Diameter: | 4inch 6inch 8inch | Dikte: | o.k. 515mm |
| weerstandsvermogen: | 0.015~0.028ohm.cm | Kleur: | Thee-groene kleur |
| Hoog licht: | 6inch het Wafeltje van het siliciumcarbide,Industrieel sic Wafeltje,4H-semi het Wafeltje van het Siliciumcarbide |
||
Productomschrijving
Hoog - kwaliteitssilicon-on-insulator de het Carbidewafeltjes van het Wafeltjessilicium pasten SIC Hoogte aan - van het de Spiegelmetaal van de kwaliteits de hoge precisie Dia.700mm sic sferische optische reflector Aangepaste Hoogte - van de het metaal optische reflector 2inch/3inch/4inch/6inch/8inch van de kwaliteitsdia.500mm silver-plated sferische reflector 6h-n/4h-SEMI SIC baren 4h-n/Hoge zuiverheids 4h-n 4inch 6inch dia 150mm van het enige kristal (sic) substraten van het siliciumwafeltjes carbide,
|
Productnaam
|
De Spiegel van het metaalvliegtuig
|
|
Materiaal
|
Monocrystalline Silicium
|
|
Diameter
|
500mm
|
|
Oppervlaktekwaliteit
|
60-40
|
|
Oppervlaktenauwkeurigheid
|
PV: 1/4 Lambda; RMS: 1/30 Lambda
|
|
Deklaag
|
Reflectivity>90% Het met een laag bedekken van Film: @200-1100nm
|
|
Toepassing
|
Het wijzen van op Systeem
|
| Bezit | 4H-sic, Enig Kristal | 6H-sic, Enig Kristal |
| Roosterparameters | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| Het stapelen van Opeenvolging | ABCB | ABCACB |
| Mohshardheid | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Dichtheid | 3.21 g/cm3 | 3.21 g/cm3 |
| Therm. Uitbreidingscoëfficiënt | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Brekingsindex @750nm |
geen = 2,61 Ne = 2,66 |
geen = 2,60 Ne = 2,65 |
| Diëlektrische Constante | c~9.66 | c~9.66 |
| Warmtegeleidingsvermogen (n-Type, 0,02 ohm.cm) |
a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K |
|
| (Semi-insulating) Warmtegeleidingsvermogen |
a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K |
| Band-Gap | 3.23 eV | 3.02 eV |
| Opsplitsings Elektrogebied | 35×106V/cm | 35×106V/cm |
| De Snelheid van de verzadigingsafwijking | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
|
4 H-N Type/Hoge Zuiverheids sic wafeltje/baren
2 duim4h n-Type sic wafeltje/baren
3 duim4h n-Type sic wafeltje 4 duim4h n-Type sic wafeltje/baren 6 duim4h n-Type sic wafeltje/baren |
4H Semi-insulating/Hoge Zuiverheids sic wafeltje 2 duim4h Semi-insulating sic wafeltje
3 duim4h Semi-insulating sic wafeltje 4 duim4h Semi-insulating sic wafeltje 6 duim4h Semi-insulating sic wafeltje |
|
6H-n-Type sic wafeltje
2 duim6h n-Type sic wafeltje/baar |
Customziedgrootte voor 2-6inch
|
Het siliciumcarbide (sic), ook gekend als carborundum, is een halfgeleider sic bevattend silicium en koolstof met chemische formule. Sic wordt gebruikt in de apparaten van de halfgeleiderelektronika die bij hoge temperaturen of hoge voltages werken, of both.SiC is ook één van
de belangrijke LEIDENE componenten, het is een populair substraat voor het kweken van GaN-apparaten, en het dient ook als hitteverspreider in high-power
LEDs.
| Eigenschappen | eenheid | Silicium | Sic | GaN |
| Bandgapbreedte | eV | 1.12 | 3.26 | 3.41 |
| Analysegebied | MV/cm | 0,23 | 2.2 | 3.3 |
| Elektronenmobiliteit | cm^2/Vs | 1400 | 950 | 1500 |
| Afwijkingsvalocity | 10^7 cm/s | 1 | 2.7 | 2.5 |
| Warmtegeleidingsvermogen | W/cmK | 1.5 | 3.8 | 1.3 |
Ongeveer ZMKJ Company
ZMKJ kan verstrekt sic hoogte - het wafeltje van het kwaliteits enige kristal (Siliciumcarbide) aan de elektronische en optoelectronic industrie. Sic is het wafeltje een materiaal van de volgende generatiehalfgeleider, met unieke elektrische eigenschappen en de uitstekende thermische eigenschappen, in vergelijking met siliciumwafeltje en GaAs wafeltje, sic wafeltje zijn geschikter voor machts van het op hoge temperatuur en de toepassing hoge apparaat. Sic kan het wafeltje in diameter 2-6 duim sic worden geleverd, zowel 4H als 6H, gesmeerd n-Type, Stikstof, en semi-insulating beschikbaar type. Tevreden om ons voor meer productinformatie te contacteren.
FAQ:
Q: Wat is de manier om en kosten te verschepen?
A: (1) wij keuren DHL, Fedex, EMS enz. goed
(2) het is fijn als u uw eigen uitdrukkelijke rekening, als niet hebt, konden wij u helpen hen verschepen en
De vracht is met de daadwerkelijke regeling in overeenstemming.
Q: Hoe te betalen?
A: De storting van T/T 100% vóór levering.
Q: Wat is uw MOQ?
A: (1) voor inventaris, is MOQ 1pcs. als is 2-5pcs het beter.
(2) voor aangepaste gemeenschappelijke producten, is MOQ omhoog 10pcs.
Q: Wat is de levertijd?
A: (1) voor de standaardproducten
Voor inventaris: de levering is 5 werkdagen na u plaats de orde.
Voor aangepaste producten: de levering is 2 -4 weken na u ordecontact.
Q: Hebt u standaardproducten?
A: Onze standaardproducten in voorraad. zoals als substraten 4inch 0.35mm.